IBM Research, en asociación con Samsung, nuestro socio de Albany Research Alliance, ha presentado un gran avance en el diseño de semiconductores, llamado VTFET, que podría ayudar a remodelar la industria de los semiconductores en los años venideros
VTFET: la nueva y revolucionaria arquitectura de chip que podría mantener viva la ley de Moore en los próximos años
La tecnología innovadora en desarrollo podría algún día en el futuro hacer posible que las baterías de los teléfonos y otros dispositivos duren al menos una semana antes de que necesiten recargarse. Esta afirmación podría estar a punto de concretarse con IBM y Samsung anunciando su asociación en un diseño de semiconductores que apilará los transistores en un chip verticalmente en lugar de colocarlos sobre una oblea como en el caso de la prominente tecnología FinFET en la que se basan la mayoría de los chips actuales.
El nuevo diseño innovador llamado Transistor de efecto de campo de nanohojas de transporte vertical (VTFET) adoptará un enfoque poco convencional para organizar los transistores en un chip. La nueva forma significará apilar transistores verticalmente en el chip para permitir que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo de los transistores en lugar de lado a lado en el diseño horizontal en chips basados en el diseño FinFET.
Este nuevo enfoque está destinado a reemplazar la tecnología FinFET actual para empaquetar los chips con más densidad de transistores de lo que es posible actualmente. El diseño VTFET, afirma IBM , puede mejorar el rendimiento dos veces o generar una reducción del 85 por ciento en el consumo de energía en comparación con el diseño FinFET.
Según IBM, esta nueva tecnología supondrá muchos beneficios para el usuario final. La más destacada es la posibilidad de que las baterías de los teléfonos inteligentes funcionen durante una semana seguida antes de necesitar una recarga. Además, la tecnología VTFET también podría reducir la cantidad de energía necesaria para extraer criptomonedas, o incluso ayudar a la industria de Internet de las cosas (IoT) a prosperar con un uso reducido de energía.
El diseño VTFET con la disposición de transistores verticales definitivamente revolucionará la industria de la electrónica de consumo, que se ve muy afectada por la falta de innovaciones revolucionarias para aumentar la vida útil de la batería de los dispositivos. Sin embargo, la última tecnología de IBM y Samsung está lejos de ser una prueba completa en este momento, y no hay información sobre cuándo podría comenzar a filtrarse en el mundo real. Tags: Tecnología, IBM, Samsung
